(资料图片仅供参考)

4月23日，据南华早报报道，长江存储目前在使用国产设备来生产3D NAND产品上取得进展。

消息人士透露，长江存储去年被美国列入贸易黑名单后， 正计划使用国产设备来生产先进的闪存产品 。如果成功，该战略也将代表中国在实现半导体生产自给自足上取得突破。

去年，长江存储曾有望凭借着232层 3D NAND 闪存芯片X3-9070挑战三星电子、SK 海力士、美光，但因美国限制使得量产前景受到质疑，美国设备供应商科磊（KLA）、泛林集团（Lam Research）不得不停止向长江存储销售设备和服务。

有消息人士表示，长江存储已加倍努力与中国供应商合作，帮助其制造基于 Xtacking 3.0架构的芯片，并且在 一个代号为“武当山”的绝密项目上取得了进展 。

消息人士表示， 该项目打算只使用国产设备 ，而且长江存储已向包括北方华创等国内设备供应商下了大量订单，其中北方华创是中国领先的蚀刻设备制造商，蚀刻设备也是美国泛林集团（Lam Research）的主要产品线。

长江存储甚至还要求国内供应商从设备上删除徽标和其他识别标志，以减轻美国对其供应商制裁的风险。

据报道，中国芯片制造供应链仍存在“瓶颈”，如美国设备制造商科磊（KLA）提供的量测设备、荷兰公司ASML以及尼康和佳能等日本供应商提供的光刻系统，中国国内没有可行的替代品。 目前尚不清楚这个新项目是否位于武汉，也不清楚该公司将如何应对设备供应瓶颈 。

上月底3月30日，金融时报曾首次报道，长江存储第二座晶圆厂去年曾因美国出口管制限制被迫中断，而在重整旗鼓后， 预计最早在2024年下半年将有一家设备完备的新晶圆厂投产。

当时，据金融时报报道，新工厂将加强采用国产本土设备，并同时使用来自正缩减生产规模的旧晶圆厂的设备来填充，将试图生产196层与232层的3D NAND闪存芯片。

据报道，长江存储设立了要从北方华创、中微半导体在内的本土供应商取得设备的宏大目标，一位分析师表示，“长江存储今年来致力于芯片产线去美化的重要且艰困任务。”